碳化硅功率?？榈挠诺鉎ybrid SiC Module混合碳化硅和SiC MOSFET功率模块结合了成熟的工业标准功率?？楹头庾凹际醯挠诺恪５靡嬗诙嘀址庾坝呕?，碳化硅的各种优点得以充分利用。碳化硅功率模块换向电感降低可以实现SiC MOSFET的全速开关。更高的开关速度可以转换成更高的开关频率，从而得到更小的磁性过滤器 元件。同时可以降低开关损耗，提高系统效率。精密的材料和封装技术可以将芯片与散热片之间的热阻减至更小，从而实现更高的功率密度。碳化硅功率?？榈墓丶匦愿叩目仄德剩挥呕瞬ㄔ⒔档推涑杀纠淙瓷璞父舸?，降低功率损耗，从而提升效率并降低系统成本和规模最新的碳化硅SiC MOSFET芯片标准工业封装，按照碳化硅的要求进行优化：电感，低热阻针对实际应用优化芯片组 碳化硅功率?？榈挠τ?nbsp;太阳能逆变器：升压电路和逆变器应用储能系统：大效率和低噪声UPS：高效双转换系统电机驱动器：主动前端与电机侧（混合碳化硅和SiC MOSFET 三相全桥和半桥）电源：牵引应用、感应加热等的助电源领先的芯片和封装技术，实现最大能效混合碳化硅?？椋汗β仕鸷慕档?0%，用简便IGBT开关与碳化硅肖特基二极管相结合几乎没有二极管损耗，并显著减少IGBT开关损耗...