碳化硅功率?？榈挠诺?/p>

Hybrid SiC Module混合碳化硅和SiC MOSFET功率?？榻岷狭顺墒斓墓ひ当曜脊β誓？楹头庾凹际醯挠诺?。得益于多种封装优化，碳化硅的各种优点得以充分利用。

碳化硅功率模块换向电感降低可以实现SiC MOSFET的全速开关。更高的开关速度可以转换成更高的开关频率，从而得到更小的磁性过滤器 元件。同时可以降低开关损耗，提高系统效率。精密的材料和封装技术可以将芯片与散热片之间的热阻减至更小，从而实现更高的功率密度。

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更高的开关频率，够优化滤波元件并降低其成本

冷却设备更紧凑，降低功率损耗，从而提升效率并降低系统成本和规模

最新的碳化硅SiC MOSFET芯片

标准工业封装，按照碳化硅的要求进行优化：电感，低热阻

针对实际应用优化芯片组 

碳化硅功率?？榈挠τ?nbsp;

太阳能逆变器：升压电路和逆变器应用

储能系统：大效率和低噪声

UPS：高效双转换系统

电机驱动器：主动前端与电机侧（混合碳化硅和SiC MOSFET 三相全桥和半桥）

电源：牵引应用、感应加热等的助电源

领先的芯片和封装技术，实现最大能效

混合碳化硅?？椋汗β仕鸷慕档?0%，用简便

IGBT开关与碳化硅肖特基二极管相结合

几乎没有二极管损耗，并显著减少IGBT开关损耗

高速IGBT和碳化硅肖特基二极管使关损耗降低50%

轻松实现成本优化的碳化硅解决方案：动器或系统无需进行重大设计变更，使用的碳化硅芯片面积小，能够限制成本 

SiC MOSFET功率?？橹饕τ茫禾裟苣姹淦?，储能系统，大功率汽车充电站，高效、高速电机驱动。